反射热成像测温系统-ImageTR
ImageTR系列反射热成像测温系统基于可见（紫外）光光反射原理的热成像技术，具备高时间分辨率，高空间分辨率，高温度分辨率的热分析能力，能够准确测量GaN HEMT等射频功率器件，FinFET、MOSFET和IGBT等功率器件，光电子器件的稳态热分布和瞬态热分布。
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热分布检测对于射频功率器件，光电子器件、MEMS器件的性能评价和可靠性研究有着极其重要的意义。当前上述器件制程工艺已进入几十纳米量级，器件集成度前所未有，功率密度大幅度提高，发热区域越来越小，工作频率已达到5GHz以上量级，其工作温度越来越高，例如GaN类HEMT器件，GaAs类pHEMT器件，其单指栅长只有0.25μm或0.5μm，其发热区域在0.5μm以下，器件一般工作在脉冲偏置条件下，在1μ秒的温度变化会超过100℃，器件的小尺寸结构和高射频条件下的热分析对现有的热分布检测手段提出了严峻的挑战。ImageTR系列反射热成像测温系统为解决上述问题而研发，系统基于可见（紫外）光光反射原理的热成像技术，具备高时间分辨率，高空间分辨率，高温度分辨率的热分析能力，能够准确测量GaN HEMT等射频功率器件，FinFET、MOSFET和IGBT等功率器件，光电子器件的稳态热分布和瞬态热分布。
反射热成像基本原理 示意图
测试结果： CREE器件 CGH40010GaN HEMT
可见光 反射热成像图
器件高分辨率图瞬态测温
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