红外热成像在电子和电气工程中的应用

 

 

红外热像仪不同于传统接触式温度传感器,它是光学测温技术,采用非接触式测量方式,不会破坏被测对象原有状态。针对电子电气领域的测温需求,它不仅能保障高效率、高分辨率与高精度,还可实现多点同步测量。

电子元件和组件的热成像检测是用于故障检测和质量管理的既定测试程序 - 从原型开发到量产。例如,可以检测以下内容:

热成像检测是电子元件和组件从原型开发到量产各阶段进行缺陷检测和质量管理重要手段:

· 集成电路芯片、功率半导体器件(射频器件,电力电子器件)、SOC等结温测量;

· MCM多芯偏模块,POP叠层封装,板级器件等热分布测量;

· 封装界面,不同材料的热导分布测量;

· 多层堆叠芯片封装的热点定位(2.5D,3D封装器件,SIP系统封装);

· IC芯片,功率半导体器件短路,漏电等失效分析中的故障热点定位;

· 封装器件的焊接空洞、BGA球缺失、短路等故障定位;

· PCBA板级故障定位。

 

每个开发步骤中的热成像分析为优化热管理和复杂电子组件的设计提供了重要论据。在电子产品生产中,红外热像测温被用作质量保证的重要手段。高水准的热成像技术已成为关键技术参数及其持续监控生产过程中产品在线测试和最终功能测试不可或缺的工具。

位于基尔的克里斯蒂安·阿尔布雷希茨大学 (CAU) 技术学院的科研人员正在研究电力电子领域温度的变化和发展及其在各种半导体材料中的分布,以优化工艺和技术。

 

https://youtu.be/7Go2mMF_4qM

 

用 ImageIR红外热像仪对电力电子器件进行测量

 红外热成像在微电子领域的应用示例

采用高性能红外热成像系统的优势

 

非接触式热成像测温技术能准确地测量热容较小的小物体的温度。 即使用尺寸最小的接触式温度传感器,往往也不能实现这一测量目标,因为接触式传感器自身的热耗散常会导致测量结果失真。在许多情况下,受电路自身设计或功能的限制,使用热电偶是完全不可行。

 

此外,大量电子元器件的结构尺寸极小,无法贴附接触式温度传感器。 但高空间分辨率的热成像系统不仅能清晰呈现这类微小结构,还可测定其精确的温度分布及随时间变化的过程。借助特写拍摄功能与高性能红外显微镜头,用户能够测量半导体元件等仅器件表面仅数微米大小的热点。若搭配固体浸没透镜,还可检测尺寸更小的结构。结合相应的主动热成像方法(如Lock-in Thermography 锁相热成像法),能清晰识别微开尔文(µK)量级的温差,从而实现故障定位。

 

英福泰克(InfraTec)提供配套镜头及红外热像仪,其探测器类型分为制冷型与非制冷型,像元分辨率最高可达(1920×1536)红外像素。适用于制冷型与非制冷型探测器相机的 “光机微扫描”(MicroScan)成像技术,可进一步提升空间分辨率。通过上述方式获取的热像图,能精细呈现元件与组件的细微细节,实现故障的精准检测与定位。对于复杂组件而言,具有数百万像素超高空间分辨率的热成像图优势显著,可在测量或测试对象上同时捕捉大量结构信息。若所用红外探测器的像素数量不足,则需拍摄更多图像才能完整采集测量对象的信息。

上图为常规热像图 – 无法检测到异常热点缺陷

精准测定微开(µK)量级温差

热成像技术已在当今电子与电气工程领域的应用中站稳脚跟。背景因素包括:元器件正朝着体积更小、性能更强的方向发展,且工作所需供电电压也不断降低。一般来说,电能消耗越低,元器件产生的温度变化就越小。而我们正是通过测量这些温度的变化来分析可能存在的故障。目前,InfraTec红外热像仪在工作状态下已能实现低于20mK的出色热分辨率,可以从根本上满足上述检测的需求。 然而,这样的性能对于某些特定的测量任务还远远不够,这就需要借助锁相热成像技术(Lock-in Thermography)来检测极其微小的温差。通过周期性激励方式,锁相热成像技术能够对被测物进行无损检测,找出其中的缺陷与异常之处。不过,与实时测量相比,采用锁相法时所需测量时间会随目标分辨率的提高而显著增加,有时甚至需要数分钟。因此,使用兼具大画幅与高空间分辨率的热像仪,一次性完成测量工作,将大幅提升检测效率。

 

与之相反,使用分辨率较低的热像仪,在对被测物进行全面检测的过程中,往往需要多次重复测量,尤其是当故障无法稳定复现时,重复测量的次数会更多。虽然购买低分辨率热像仪的初始成本较低,但这会导致研发人员在测试阶段,或是生产人员在质检阶段耗费大量时间,最终可能造成更高的成本耗费。

显微红外技术用于电子产品的非接触式温度测量和热点定位

 

 

       

探测器分辨率

最多达1920 × 1536个红外像素,用于测试复杂组件

 

  

 

 

捕获高分辨率细节图像

使用特定的显微镜时,像素解析度可达  1μm

 

   

 

热灵敏度

与锁相方法相结合可达 0.015 K,可检测出缺陷结构与完好结构之间仅为微开(μK)量级的温差

 

 

 

测量精度

高达 ±1 °C 或 1 % 

 

 

上图为通过锁相算法处理后的振幅图–异常点被显露出来

上图为常规热图和振幅图的叠加显示,方便判定缺陷位置

精准定位热点、精细表现温差