半导体制程迈入几十纳米量级，GaN HEMT等器件单指栅长缩至0.25μm，脉冲偏置下1μs内温度骤升超100℃，传统热检测技术面临“空间分辨率不足、时间响应滞后、低辐射率样品适配差”的困境—金属覆盖层、半导体晶圆等低辐射率样品，更导致红外测温易受环境干扰、精度下滑。针对半导体行业的这一核心痛点，雅世恒源联合业内应用专家团队精心研制ImageTR系列热反射显微成像测温系统，作为首台套国产商品化设备，以创新光反射技术破解传统检测难题，打破国外品牌垄断，为构建自主可控的半导体热检测能力提供可靠支撑。

ImageTR系列热反射显微成像测温系统深度融合专家团队在微纳热传导理论、器件热行为分析及检测技术研发等领域的积累，以可见光（紫外）光反射技术为核心，通过捕捉材料表面反射率随温度变化的动态特性反推温度分布，从原理上摆脱传统红外测温对物体自身红外辐射的依赖，有效规避低辐射率样品检测的精度瓶颈。其具备300nm超高空间分辨率（较当前先进红外成像产品提升一个数量级，可匹配0.5μm以下微小发热区检测）、50ns超短时间响应（精准捕捉微秒级脉冲瞬态热分布），可完整还原GaN HEMT等高频器件的热瞬态变化，为热行为分析提供精准数据支撑。系统采用大工作距离光学设计，方便灵活配合探针的布设与多维度测试需求；搭载直观化操作界面与模块化控制逻辑，简化数据采集、分析及导出全流程操作，降低专业操作门槛，提升检测效率与测试重复性。

该系统针对行业核心痛点，实现了两大关键突破：一是无需对样品进行表面喷涂或特殊处理，直接适配金属覆盖层、半导体材料等低辐射率样品测温，避免样品损伤与检测误差；二是支持输出2048×2048像素高清温度分布图，结合像素级图像对齐与逐像素校准算法，精准定位微小热点，为器件失效分析、热设计优化提供可靠的高精度数据依据。

经对不同类型的样品实测验证，ImageTR系统的性能可满足不同类型样品的测试需求，覆盖从第三代半导体器件到先进制程逻辑芯片的全场景稳态与瞬态热分布检测，具体适配场景包括：

• 射频功率器件：可精准测量GaN HEMT、GaAs pHEMT等器件的稳态及瞬态热分布，精准捕捉栅极边缘局域热点，为高功率密度器件的热失控预警与可靠性评估提供核心数据；

• 功率电子器件：适配SiC FinFET、MOSFET、IGBT等功率器件的热特性测试，为器件功率转换效率优化、热管理方案设计提供数据支撑；

• 先进制程芯片：全面覆盖28nm、14nm、7nm等先进制程逻辑芯片，以及光电子器件、MEMS器件的热分布检测，助力器件热设计迭代与性能优化。

依托业内专家团队技术积淀与联合研发优势，ImageTR系列核心技术指标对标国际同类产品，在测试效率与操作便捷性上更有差异化竞争力。核心优势包括：零部件全国产化适配，软硬件自主可控，打破国外技术壁垒与供应链卡脖子风险，保障企业核心测试数据安全；依托国内成熟供应链，供货周期较进口设备缩短一半以上，规避国际形势与贸易壁垒导致的设备停摆；本地化的专家级服务团队，技术支持高效专业，维护保养解决快速等，显著降低客户使用与维护成本。另外，设备采购成本较国外同类设备降低20%以上。系统采用紧凑化结构设计，可靠性与环境适应性突出，可灵活部署于实验室研发场景，满足半导体材料热物性分析、器件热行为研究等科研需求。通过精准测量稳态与瞬态热分布，为器件热管理优化、可靠性评估及失效分析提供技术保障，助力缩短研发周期、提升产品良率，助力国内半导体产业供应链更具韧性。

雅世恒源坚持以客户需求为核心导向，构建完善的技术服务体系，为半导体行业客户提供全面技术支撑：设立专业测试实验室，可提供设备演示、可行性验证及样品定制化测试服务，帮助客户直观评估产品适配性；配备资深技术团队，提供从测试方案定制、设备安装调试到操作技能培训、项目课题联合攻关等全流程服务，全方位解决客户检测技术难题。凭借可靠的产品性能与专业的技术服务，公司获得行业客户的高度认可与信赖，成为半导体热检测领域的可放心合作的伙伴。

当前，半导体器件正朝着更小尺寸、更高频率、更高功率的方向迭代发展。在外部技术封锁加剧背景下，热检测技术的创新突破、国产化替代及供应链安全，已成为产业升级的核心关切。ImageTR作为首台套国产商品化的反射热显微成像测温系统，不仅以超高分辨率、快速响应能力、全样品适配性及高性价比解决微纳尺度热检测痛点，更以技术自主化打破国外产品垄断，填补国产化空白，为半导体产业构建自主可控的半导体器件热检测能力提供可靠保障。未来，雅世恒源将持续着力半导体热检测的技术创新，迭代优化产品性能与自主化水平，以更具竞争力的产品与服务，赋能半导体产业高质量稳定发展。

如需了解ImageTR系列产品详细技术参数、预约设备演示或样品测试服务，欢迎联系雅世恒源咨询。咨询热线：13301179676 官方官网：www.ndtek.com