在半导体领域，射频功率器件、光电子器件及MEMS器件的热分布检测分析，是评估性能与研究可靠性的关键。然而，随着制程工艺进入几十纳米量级，

器件集成度飙升、功率密度大增，发热区域缩小至亚微米级，工作频率超5GHz，工作温度显著升高。像GaN类HEMT器件和GaAs类pHEMT器件，单指

栅长仅0.25μm或0.5μm，发热区域不足0.5μm，在脉冲偏置下1μs内温度变化超100℃。传统检测手段已不能适应这种小尺寸、高射频环境，无法快速

精准捕捉微小发热区域，难以满足器件优化与可靠性提升需求。

ImageTR系列反射热显微成像测温系统是针对微电子器件瞬态温度场的测量而专门研发设计。基于可见光（紫外）光反射技术，通过捕捉材料表面反射率

随温度的变化，精准反推半导体器件的温度分布，其分辨率比先进的红外成像产品高出十倍。它具备300nm的高空间分辨率、50ns的高时间分辨率

的核心优势。

直观用户界面用于查看和定位被测器件、控制数据采集过程，并显示最终的温度场形态。图形界面灵活易用，可根据需求进行定制，

加入器件定位和激活控制功能。采集到的温度图以二进制格式存储在电脑中，可通过软件读取，用于查看和数据分析，也可导出为

常用的数据可视化格式。ImageTR可实现像素级的图像对齐，实现精细的逐像素校准和温度图精度。

ImageTR系统兼具速度、准确性和直观的用户控制功能，不仅能测量半导体器件结温，深度分析器件

表面瞬态热分布与成像过程，还能快速检测热点区域、定位表面缺陷，尤其是金属层覆盖下的热点定位。

系统结构紧凑、性能可靠，能够精确测量第三代半导体氮化镓器件GaN HEMT等射频功率器件，碳化硅器件FinFET、MOSFET、IGBT 等功率器件、先进制程工艺下的逻辑芯片（28nm、14nm、7nm）以及光电子器件

的稳态与瞬态热分布，为关键芯片的结温测量及可靠性分析提供坚实的技术保障。

ImageTR的技术水平与国外同类产品相当，在测试效率和操作复杂度方面更具优势，提高检测效率，助力半导体产业高质量发展。